CAS: 13760-02-6; Diiodosilane

该化合物是一种反应性很强的硅化合物,主要用于薄膜半导体应用的化学蒸气沉降(CVD)和原子层沉降(ALD)过程,其主要优点包括能够作为精确的硅前体,使含有硅的薄膜的薄膜薄膜能够与常规前体相比在较低的温度下有控制地沉降.该化合物的高度反应性和挥发性使它适合先进的材料合成,特别是用于制造基于硅的纳米结构和光电装置. Diiodosilane在受控条件下的稳定确保高纯度应用的一贯性,而其碘分质则促进专门薄膜生长的适应性.

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phosphorous iodosilane phosphorus hydrogen iodidedisilyl selenide

合成工艺路线路线简述

  • 合成目标产物 Diiodosilane 主要起始原料 Hydriodic Acid And Silicon
  • (文献来源)合成步骤主要原料 Hydriodic Acid 和 Silicon
二氯硅烷,Lithium Iodide 40.0 °C,308.18 Kpa 条件下,反应 0.08H,以45.3 G的收率获得二碘硅烷
参考文献: Method For Producing Halosilane Compounds[fr] Procédé De Production De Composés Halosilane
标题: Method For Producing Halosilane Compounds[fr] Procédé De Production De Composés Halosilane
摘要:制备卤硅烷化合物的方法包括以下步骤:(A)提供第一卤硅烷化合物,(B)提供一个反应容器,容器内含有固体卤化物盐,(C)将卤硅烷化合物加入反应容器,(D)从反应容器收集产物流,其中产物流含有第二卤硅烷.
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