CAS: 1522-22-1; 1,1,1,5,5,5-Hexafluoropentane-2,4-Dione

该化合物是一个含氟有机化合物,其独特结构包括两个乙酰组和六个氟原子,在室温下,该化合物无色可粉黄,以挥发性高和粘度低闻名;六氟乙酰蕾丝酮由于乙酰组的存在而表现出强烈的酸性,使它在化学协调中成为有用的紧合剂,特别是在金属综合体的形成方面;氟化性质具有显著的稳定性和抗热性,在各种应用中,包括作为一种溶剂和氟化材料的合成中,具有优势;此外,该化合物在材料科学和有机合成中的试剂领域具有潜在用途;然而,由于其含氟结构,必须谨慎地处理该化合物,因为它可能对环境和健康造成危害;在与六氟丙烯联苯合作时,应当注意适当的安全措施.

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欧盟法规

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上下游产品

CAS号428-75-1 1,1,1,5,5,5-HEX... | CAS号421-50-1 1,1,1-三氟丙酮(TFK) | CAS号383-63-1 三氟乙酸乙酯 | CAS号72721-52-9 1,1,1,5,5,5-hex... | CAS号69962-11-4 1,1,1,5,5,5-hex... | CAS号140647-19-4 3,5-双(三氟甲基)-1-苯基吡唑 | CAS号142503-29-5 3-[(Dimethylami... | CAS号143810-64-4 5,7-bis(trifluo... | CAS号51420-72-5 5,7-双三氟甲基[1,8]萘啶-2-胺 | CAS号51420-73-6 5,7-双(三氟甲基)[1,8... | CAS号22518-56-5 1,1,1,5,5,5-hex... | CAS号19968-20-8 3,4,5-tris(trif... | CAS号21731-54-4 4-nitro-2,6-bis... | CAS号106582-41-6 7-氯-2,4-双(三氟甲基)... | CAS号123066-64-8 4-(3,5-双(三氟甲基)-...

合成工艺路线路线简述

  • 合成目标产物 Hexafluoroacetylacetone 主要起始原料 3,3,3-Trifluoropropyne And Ethyl Trifluoroacetate
  • (文献来源)合成步骤主要原料 3,3,3-Trifluoropropyne 和 Ethyl Trifluoroacetate
1,1,1,5,5,5-Hexafluoro-3-Pentyn-2-One Trimethylsilylethyl Ketal置于硫酸体系中,用 四氢呋喃,水 用作溶剂,化学反应 7.5H,以93%的收率获得六氟乙酰丙酮
参考文献:Method For Producing 1,1,1,5,5,5-Hexafluoroacetylacetone
标题:Method For Producing 1,1,1,5,5,5-Hexafluoroacetylacetone
摘要:根据本发明,一种制备1,1,1,5,5,5-六氟乙酰丙酮水合物的生产方法包括:步骤1:获得包含至少1,1,1,5,5,5-六氟-3-戊炔-2-酮或其等效物的反应混合物,通过3,3,3-三氟丙炔基金属与三氟乙酸酯反应得到;步骤2:在存在酸的情况下,将步骤1中获得的反应混合物与水接触,形成1,1,1,5,5,5-六氟乙酰丙酮水合物.通过脱水可制备1,1,1,5,5,5-六氟乙酰丙酮.因此,根据本发明的生产方法具有工业应用价值.

海关参考信息

专利信息


专利号:WO-2021108999-A1
优先权日:2019-12-03
标 题 :Method for continuous synthesis of 4-ethoxy-1,1,1-trifluoro-3-buten-2-one
发明人:HONG HAO; ZHANG ENXUAN; LU JIANGPING; SHEN WEI; YAN HONGLEI; LIU YUNPENG
权利人:LIAONING ASYMCHEM LABORATORIES CO LTD
摘要:Disclosed is a method for the continuous synthesis of 4-ethoxy-1,1,1-trifluoro-3-buten-2-one. The continuous synthesis method comprises: continuously introducing a raw material comprising vinyl ethyl ether, triethylamine and trifluoroacetic anhydride into a continuous reactor for a reaction to obtain a product system containing 4-ethoxy-1,1,1-trifluoro-3-buten-2-one, and continuously extracting the product system to obtain 4-ethoxy-1,1,1-trifluoro-3-buten-2-one. By using the continuous process, the above-mentioned raw materials can all be conveniently and accurately introduced into the continuous reactor, and after the reaction is completed, continuous extraction is also used for a post-treatment. The whole process is rapid, simple and efficient, the efficiency of the whole synthesis process is greatly increased, product destruction loss is reduced, and hidden safety hazards during batch production are avoided. After scaling up, there is no amplification effect, and safety and a relatively high synthesis efficiency can still be maintained.

专利号:US-5028724-A
优先权日:1990-03-30
标题:Synthesis of volatile fluorinated and non-fluorinated metal-beta-ketonate and metal-beta-ketoiminato complexes
发明人:IVANKOVITS JOHN C; BOHLING DAVID A; NORMAN JOHN A T; ROBERTS DAVID A
权利人:AIR PROD & CHEM
摘要:A process for the vapor-phase synthesis of non-adduct volatile fluorinated and non-fluorinated metal-ligand complexes comprising contacting a β-diketone or β-ketoimine ligand with an inert carrier gas to vaporize the ligand, reacting the vaporized ligand with a metal species at a temperature sufficient to form the metal-ligand complex and recovering the metal-ligand complex by sublimation. The process is conducted in the absence of solvent thereby providing pure non-adduct metal-ligand complexes. Such complexes are particularly suited for specialty applications requiring use of high purity compounds.

专利号:US-6096913-A
优先权日:1999-06-10
标 题:Production of metal-ligand complexes
发明人:NORMAN JOHN ANTHONY THOMAS; SENZAKI YOSHIHIDE; ROBERTS DAVID ALLEN
权利人:AIR PROD & CHEM
摘要:In a process for the synthesis of a first metal-ligand complex, M +n (L - ) n , where n≧1, from a metal compound precursor and a ligand precursor, where the metal of the metal compound precursor may during the synthesis change to a valence in excess of n; the improvement, to suppress formation of a second metal-ligand complex of the metal with a valence in excess of n, of adding the elemental form of the metal to the synthesis of the first metal-ligand complex.

专利号:US-6015918-A
优先权日:1998-11-10
标 题 :Allyl-derived precursor and synthesis method
发明人:ZHUANG WEI-WEI; NGUYEN TUE; STECKER GREG MICHAEL; EVANS DAVID RUSSELL; HSU SHENG TENG
权利人:SHARP LAB OF AMERICA INC
摘要:A Cu(hfac) allyl-derived ligand precursor has been provided. The ligand includes group consisting of alkyl, phenyl, trialkylsilane, trialkoxylsilane, halodialkylsilane, dihaloalkylsilane, trihalosilane, triphenylsilane, alkoxyl, halogen, chloroformate, cynanide, cycloalkyl, cycloalkylamine, alkyl ether, isocyanate, and pentafluorobenzene. Examples of the allyl-derived ligand precursors have proved to be stable at room temperatures, and sufficiently volatile at higher temperatures. Copper deposited with this precursor has low resistivity and high adhesive characteristics. A synthesis method has been provided which produces a high yield of the above-described precursors, including a Cu(hfac)(allyltrimethylsilane) precursor.

专利号:US-6440494-B1
优先权日:2000-04-05
标 题 :In-situ source synthesis for metal CVD
发明人:ARENA-FOSTER CHANTAL
权利人:TOKYO ELECTRON LTD
摘要:An in-situ method for synthesis of a vapor type of copper or other metal precursor from a solid source of metal in an oxidation state of 1 or greater The solid source is localized above the wafer and its temperature is controlled independently from the wafer temperature. The solid source may be located, for example, in a showerhead. A metal precursor vapor is produced, and this vapor is drawn onto the wafer, allowing deposition to occur on the wafer and a solid thin metal film to form on the wafer. The invention overcomes the problem of low partial pressure of copper precursors in copper CVD.

专利号:US-6090963-A
优先权日:1998-11-10
标题 :Alkene ligand precursor and synthesis method
发明人:ZHUANG WEI-WEI; NGUYEN TUE; BARROWCLIFF ROBERT; EVANS DAVID RUSSELL; HSU SHENG TENG
权利人:SHARP LAB OF AMERICA INC
摘要:A metal(hfac), alkene ligand precursor has been provided. The alkene ligand includes double bonded carbon atoms, with first and second bonds to the first carbon atom, and third and fourth bonds to the second carbon atom. The first, second, third, and fourth bonds are selected from a the group consisting of H, C 1 to C 8 alkyl, C 1 to C 8 haloalkyl, and C 1 to C 8 alkoxyl. As a general class, these precursors are capable of high metal deposition rates and high volatility, despite being stable in the liquid phase at low temperatures. Copper deposited with this precursor has low resistivity and high adhesive characteristics. A synthesis method has been provided which produces a high yield of the above-described alkene ligand class of metal precursors.
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合成参考文献


摘要:Joule, J. A., Science of Synthesis Knowledge Updates, (2018) 2, 48.
摘要:Spitzner, D., Science of Synthesis Knowledge Updates, (2016) 1, 104.
摘要:von Angerer, S., Science of Synthesis Knowledge Updates, (2011) 1, 195.
摘要:von Angerer, S., Science of Synthesis Knowledge Updates, (2011) 1, 271.
摘要:Chand, K.; Umesh; Dorairaj, D. P.; Hsu, S. C. N., Science of Synthesis Knowledge Updates, (2021) 2, 260.
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